MOSFET 2N-CH 1200V 630A

Les images sont fournies à titre indicatif

CAS530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 630A

Emballage
Box
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
État de la pièce
Active
Fabricant
Wolfspeed, Inc.
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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantWolfspeed, Inc.
Série-
EmballageBox
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max-
FabricantWolfspeed, Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source
Type de montageChassis Mount
Colis / CasModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 127mA
Numéro de produit de baseCAS530
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.47mOhm @ 530A, 15V
Paquet de dispositif du fournisseur-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1362nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds38900pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C630A (Tc)
Boîtier
-
MSL
-

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