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Série
Z-FET™
FET Type
N-Channel
Emballage
Tube
Vgs (Max)
+25V, -5V
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Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus
Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | Wolfspeed, Inc. |
| Note | - |
| Série | Z-FET™ |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de montage | Through Hole |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
Boîtier
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MSL
-