MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULERoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

WAS300M12BM2

MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE

Emballage
Bulk
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
État de la pièce
Not For New Designs
Puissance - Max
1.668kW (Tc)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantWolfspeed, Inc.
Série-
EmballageBulk
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
État de la pièceNot For New Designs
Puissance - Max1.668kW (Tc)
FabricantWolfspeed, Inc.
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montageChassis Mount
Colis / CasModule
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 15mA
Numéro de produit de baseWAS300
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 300A, 20V
Paquet de dispositif du fournisseurModule
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1025nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds19300pF @ 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C423A (Tc)
Boîtier
-
MSL
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