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aMOS™
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N-Channel
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Nota | - |
| Série | aMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Número do produto base | AOU4 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-251-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 263 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Embalagem
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MSL
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