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eGaN®
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N-Channel
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| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | EPC |
| Grade | - |
| Series | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Package / Case | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 18mA |
| Base Product Number | EPC20 |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 37A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.3 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3267 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Ta) |
Embalagem
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MSL
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