SI9926DY

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
Potência - Max
900mW (Ta)
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteFairchild Semiconductor
Série-
EmbalagemBulk
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max900mW (Ta)
FabricanteFairchild Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Número do produto baseSI9926
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Pacote de dispositivo do fornecedor8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Embalagem
-
MSL
-

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