TRANS SJT 650V 8A TO276RoHS / Conformidade

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2N7638-GA

TRANS SJT 650V 8A TO276

FET Type
N-Channel
Embalagem
Bulk
Status da peça
Obsolete
Potência - Max
200 W
Ficha de dados (PDF)
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Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaJFETs
FabricanteGeneSiC Semiconductor
Nota-
Série-
FET TypeN-Channel
EmbalagemBulk
Status da peçaObsolete
Potência - Max200 W
FabricanteGeneSiC Semiconductor
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-276AA
Resistance - RDS(On)170 mOhms
Temperatura de operação-55°C ~ 210°C (TJ)
Pacote de dispositivo do fornecedorSMD-0.5
Current Drain (Id) - Max20 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds685pF @ 500V
Embalagem
-
MSL
-

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