FET Type
N-Channel
Embalagem
Bulk
Status da peça
Obsolete
Potência - Max
172 W
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | JFETs |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Nota | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Bulk |
| Status da peça | Obsolete |
| Potência - Max | 172 W |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | TO-257-3 |
| Resistance - RDS(On) | 60 mOhms |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 210°C (TJ) |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-257 |
| Current Drain (Id) - Max | 32 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Embalagem
-
MSL
-