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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Bulk
Tecnologia
Schottky
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| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Schottky |
| Status da peça | Obsolete |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Twin Tower |
| Número do produto base | MBR40045 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 45 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 200 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
Embalagem
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MSL
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