Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging
Bulk
Technology
Schottky
Part Status
Obsolete
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Technology | Schottky |
| Part Status | Obsolete |
| Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Base Product Number | MBR40045 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 45 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 200 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
Embalagem
-
MSL
-