RoHS / ConformidadeAs imagens são apenas para referência
Velocidade
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Embalagem
Bulk
Tecnologia
Schottky
Status da peça
Obsolete
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Schottky |
| Status da peça | Obsolete |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Three Tower |
| Número do produto base | MBRTA600 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Three Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 45 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 300 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
Embalagem
-
MSL
-