Velocidade
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Embalagem
Bulk
Tecnologia
Standard, Reverse Polarity
Status da peça
Active
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single Diodes |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidade | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Standard, Reverse Polarity |
| Status da peça | Active |
| Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
| Pacote / Caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Número do produto base | S25Q |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 25 A |
Embalagem
-
MSL
-