RF MOSFET GAN HEMT 28V DIEEm stockRoHS / Conformidade

As imagens são apenas para referência

WP28007025

RF MOSFET GAN HEMT 28V DIE

Gain
17dB
Frequência
7GHz
Embalagem
Box
Tecnologia
GaN HEMT
Ficha de dados (PDF)
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Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaRF FETs, MOSFETs
FabricanteWAVEPIA.,Co.Ltd
Gain17dB
Série-
Frequência7GHz
EmbalagemBox
TecnologiaGaN HEMT
Status da peçaActive
FabricanteWAVEPIA.,Co.Ltd
Noise Figure-
Current - Test100 mA
Pacote / CasoDie
Power - Output25W
Voltage - Test28 V
Tensão - Classificada28 V
Classificação atual (Amperes)800mA
Pacote de dispositivo do fornecedorDie
Embalagem
-
MSL
-

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