RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BHEm stockRoHS / Conformidade

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WP2806008UH

RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BH

Gain
11dB
Frequência
6GHz
Embalagem
Box
Tecnologia
GaN HEMT
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Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaRF FETs, MOSFETs
FabricanteWAVEPIA.,Co.Ltd
Gain11dB
Série-
Frequência6GHz
EmbalagemBox
TecnologiaGaN HEMT
Status da peçaActive
FabricanteWAVEPIA.,Co.Ltd
Noise Figure-
Tipo de montagemSurface Mount
Current - Test70 mA
Pacote / Caso360BH
Power - Output6W
Voltage - Test28 V
Tensão - Classificada160 V
Classificação atual (Amperes)-
Pacote de dispositivo do fornecedor360BH
Embalagem
-
MSL
-

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