FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Box (TB)
Статус детали
Active
Мощность - Макс
310 mW
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | JFETs |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Оценка | - |
| Серия | - |
| FET Type | N-Channel |
| Упаковка | Tape & Box (TB) |
| Статус детали | Active |
| Мощность - Макс | 310 mW |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Квалификация | - |
| Упаковка / Дело | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Упаковка устройства поставщика | TO-92-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 30 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6 V @ 10 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 15V |
Корпус
-
MSL
-