MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOPRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMN2040LTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

Оценка
Automotive
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
ОценкаAutomotive
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс890mW
ПроизводительDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Тип монтажаSurface Mount
КвалификацияAEC-Q101
Упаковка / Дело8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMN2040
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6A, 4.5V
Упаковка устройства поставщика8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products