MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8RoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8

Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Производитель
Diodes Incorporated
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR)
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
ПроизводительDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMT3006
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Упаковка устройства поставщикаPowerDI5060-8 (Type S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products