RoHS / СоответствиеИзображения только для справки
FET Type
N-Channel
Упаковка
Bulk
Статус детали
Obsolete
Мощность - Макс
80 W
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | JFETs |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Оценка | - |
| Серия | - |
| FET Type | N-Channel |
| Упаковка | Bulk |
| Статус детали | Obsolete |
| Мощность - Макс | 80 W |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Квалификация | - |
| Упаковка / Дело | TO-257-3 |
| Resistance - RDS(On) | 170 mOhms |
| Рабочая температура | -55°C ~ 210°C (TJ) |
| Упаковка устройства поставщика | TO-257 |
| Current Drain (Id) - Max | 20 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 500V |
Корпус
-
MSL
-