MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFNRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

GT090N06D52

MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN

Серия
SGT
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительGoford Semiconductor
СерияSGT
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс62W (Tc)
ПроизводительGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Базовый номер продуктаGT090N06
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 14A, 10V
Упаковка устройства поставщика8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products