FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Single FETs, MOSFETs |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Grade | - |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Obsolete |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | - |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Base Product Number | IRF520 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
Корпус
-
MSL
-