DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWERRoHS / Tuân thủ

Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo

MURTA20020

DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER

Tốc độ
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Bao bì
Bulk
Công nghệ
Standard
Trạng thái linh kiện
Active
Bảng dữ liệu (PDF)
Tuân thủ RoHS

Vì sao chọn chúng tôi

Bảo hành chất lượng
Đảm bảo chất lượng
An toàn ESD
Chống tĩnh điện
Giao hàng toàn cầu
Giao hàng nhanh
Phản hồi nhanh
RFQ nhanh

Đóng gói chuyên nghiệp

Đóng gói gốc

Niêm phong nhà máy, khay ESD

Bảo vệ chống ẩm

Thẻ chỉ báo độ ẩm và silica gel đi kèm

Hút chân không

Túi chắn ẩm, bơm nitơ

Đóng gói an toàn

Xốp chống rung, nhãn chống sốc

Tham sốGiá trị
Danh mụcDiode Arrays
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
Tốc độStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Chuỗi-
Bao bìBulk
Công nghệStandard
Trạng thái linh kiệnActive
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
Loại lắp đặtChassis Mount
Gói / Trường hợpThree Tower
Số sản phẩm cơ bảnMURTA200
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Gói thiết bị nhà cung cấpThree Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 200 V
Điện áp - DC Đảo ngược (Vr) (Tối đa)200 V
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Vỏ
-
MSL
-

Related Products