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Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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500mW
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) Matched Pair |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 10µA |
| Basisproduktnummer | ALD1102 |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270Ohm @ 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Gehäuse
-
MSL
-