MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIPRoHS / Konformität

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ALD110902PAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

Serie
EPAD®
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
VerpackungTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max500mW
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Matched Pair
MontageartThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id220mV @ 1µA
BasisproduktnummerALD110902
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.2V
Lieferanten-Gerätepaket8-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Gehäuse
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MSL
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