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Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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500mW
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
| Basisproduktnummer | ALD1115 |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1800Ohm @ 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Gehäuse
-
MSL
-