MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICRoHS / Konformität

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ALD210808SCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
VerpackungTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusActive
Leistung - Max500mW
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
MontageartSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
BasisproduktnummerALD210808
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Lieferanten-Gerätepaket16-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Gehäuse
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MSL
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