MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIPRoHS / Konformität

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ALD210814PCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIP

Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
RoHS-konform

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ESD-sicher
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Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
VerpackungTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusActive
Leistung - Max-
HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
MontageartThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
BasisproduktnummerALD210814
Betriebstemperatur-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Lieferanten-Gerätepaket16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Gehäuse
-
MSL
-

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