MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFNRoHS / Konformität

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AON6912A

MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN

Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Teilestatus
Obsolete
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusObsolete
Leistung - Max1.9W, 2.1W
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
BasisproduktnummerAON6912
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.7mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-DFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A, 13.8A
Gehäuse
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MSL
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