MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOICAuf LagerRoHS / Konformität

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AOSD21313C

MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Leistung - Max
1.7W
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max1.7W
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 P-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
BasisproduktnummerAOSD213
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.7A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
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