MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOICAuf LagerRoHS / Konformität

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AOSD62666E

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusActive
Leistung - Max2.5W (Ta)
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
BasisproduktnummerAOSD62666
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds755pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
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