BY25FQ16ESSIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Speichergröße
16Mbit
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
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Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieMemory
HerstellerBYTe Semiconductor
Note-
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieFLASH - NOR
Access Time5 ns
Speichergröße16Mbit
SpeichertypNon-Volatile
TeilestatusActive
Memory FormatFLASH
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Gehäuse
-
MSL
-

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