MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563RoHS / Konformität

Bilder nur zur Referenz

DMC2710UV-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563

Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Leistung - Max
460mW (Ta)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage

Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max460mW (Ta)
HerstellerDiodes Incorporated
ConfigurationN and P-Channel Complementary
MontageartSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
BasisproduktnummerDMC2710
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Lieferanten-GerätepaketSOT-563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

Related Products