MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26Auf LagerRoHS / Konformität

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DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

Packaging
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Part Status
Active
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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
Series-
PackagingTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Part StatusActive
Power - Max850mW
ManufacturerDiodes Incorporated
ConfigurationN and P-Channel
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Base Product NumberDMG6601
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device PackageTSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds422pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A, 2.5A
Gehäuse
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MSL
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