MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOPAuf LagerRoHS / Konformität

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DMG8822UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Note
Automotive
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
NoteAutomotive
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max870mW
HerstellerDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
MontageartSurface Mount
QualifikationAEC-Q101
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
BasisproduktnummerDMG8822
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds841pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Gehäuse
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MSL
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