MOSFET N-CH 30V 9A 8SOPAuf LagerRoHS / Konformität

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DMN3030LSS-13

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerDiodes Incorporated
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
BasisproduktnummerDMN3030
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds741 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
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