MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363Auf LagerRoHS / Konformität

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DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusActive
Leistung - Max320mW
HerstellerDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
BasisproduktnummerDMN3190
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Lieferanten-GerätepaketSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Gehäuse
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MSL
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