MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8RoHS / Konformität

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DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8

Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Hersteller
Diodes Incorporated
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
HerstellerDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerDMT3006
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Lieferanten-GerätepaketPowerDI5060-8 (Type S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
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