MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SOAuf LagerRoHS / Konformität

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ZXMHC3F381N8TC

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusActive
Leistung - Max870mW
HerstellerDiodes Incorporated
Configuration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerZXMHC3F381
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.98A, 3.36A
Gehäuse
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MSL
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