MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363RoHS / Konformität

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PJT7808_R2_00001

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363

Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Leistung - Max
350mW (Ta)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerEMO Inc.
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max350mW (Ta)
HerstellerEMO Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
BasisproduktnummerPJT7808
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 500mA, 4.5V
Lieferanten-GerätepaketSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Gehäuse
-
MSL
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