GANFET N-CH 30V 60A DIEAuf LagerRoHS / Konformität

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EPC2023

GANFET N-CH 30V 60A DIE

Serie
eGaN®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerEPC
Note-
SerieeGaN®
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
TeilestatusNot For New Designs
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 20mA
BasisproduktnummerEPC20
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 40A, 5V
Lieferanten-GerätepaketDie
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

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