Serie
eGaN®
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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GaNFET (Gallium Nitride)
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Last Time Buy |
| Leistung - Max | - |
| Hersteller | EPC |
| Configuration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Basisproduktnummer | EPC210 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
Gehäuse
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MSL
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