MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEAuf LagerRoHS / Konformität

Bilder nur zur Referenz

EPC2111

MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Teilestatus
Last Time Buy
Hersteller
EPC
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage

Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerEPC
Note-
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
TeilestatusLast Time Buy
Leistung - Max-
HerstellerEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
BasisproduktnummerEPC211
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Lieferanten-GerätepaketDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

Related Products