GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIEAuf LagerRoHS / Konformität

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EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerEPC
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 6mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Lieferanten-GerätepaketDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1790 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

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