Serie
SiC Power
Verpackung
Box
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | GE Aerospace |
| Note | - |
| Serie | SiC Power |
| Verpackung | Box |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 1250W |
| Hersteller | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Qualifikation | AEC-Q101 |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| Basisproduktnummer | GE12047 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
Gehäuse
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MSL
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