Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Diodes |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Basisproduktnummer | GB10SLT12 |
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 10 A |
Gehäuse
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MSL
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