DIODE SIL CARB 1200V 92A TO2472Auf LagerRoHS / Konformität

Bilder nur zur Referenz

GD50MPS12H

DIODE SIL CARB 1200V 92A TO2472

Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie
SiC Schottky MPS™
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage

Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle Diodes
HerstellerGeneSiC Semiconductor
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
SerieSiC Schottky MPS™
VerpackungTube
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
TeilestatusActive
MontageartThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
Capacitance @ Vr, F1835pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-GerätepaketTO-247-2
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr15 µA @ 1200 V
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)92A
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 50 A
Gehäuse
-
MSL
-

Related Products