Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie
SiC Schottky MPS™
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Diodes |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Teilestatus | Active |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 1835pF @ 1V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-2 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 1200 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 92A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
Gehäuse
-
MSL
-

