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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Diode Arrays |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Technologie | Schottky |
| Teilestatus | Active |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Basisproduktnummer | MBR200200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Lieferanten-Gerätepaket | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Gehäuse
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MSL
-