DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWERRoHS / Konformität

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MURTA20020

DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER

Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Verpackung
Bulk
Technologie
Standard
Teilestatus
Active
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RoHS-konform

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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieDiode Arrays
HerstellerGeneSiC Semiconductor
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie-
VerpackungBulk
TechnologieStandard
TeilestatusActive
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartChassis Mount
Paket / FallThree Tower
BasisproduktnummerMURTA200
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Lieferanten-GerätepaketThree Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 200 V
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max)200 V
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Gehäuse
-
MSL
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