MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6LAuf LagerRoHS / Konformität

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G2K3N10L6

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

Serie
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerGoford Semiconductor
SerieTrenchFET®
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max1.67W (Tc)
HerstellerGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
BasisproduktnummerG2K3N
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
Lieferanten-GerätepaketSOT-23-6L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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