MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFNAuf LagerRoHS / Konformität

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GT060N04D52

MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN

Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Leistung - Max
20W (Tc)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerGoford Semiconductor
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max20W (Tc)
HerstellerGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1276pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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