MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFNRoHS / Konformität

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GT090N06D52

MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN

Serie
SGT
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerGoford Semiconductor
SerieSGT
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
Leistung - Max62W (Tc)
HerstellerGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
BasisproduktnummerGT090N06
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 14A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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