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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Tube
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Diode Arrays |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | Schottky |
| Teilestatus | Obsolete |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Basisproduktnummer | MBR30 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 45 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 45 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760 mV @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 15A |
Gehäuse
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MSL
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